双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法
姚丹阳; 张锦川; 闫方亮; 刘俊岐; 王利军; 刘峰奇; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-05-08
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2013-01-25
申请号CN201310028764.7
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25685
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
姚丹阳,张锦川,闫方亮,等. 双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光(1010KB) 限制开放使用许可请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[姚丹阳]的文章
[张锦川]的文章
[闫方亮]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[姚丹阳]的文章
[张锦川]的文章
[闫方亮]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[姚丹阳]的文章
[张锦川]的文章
[闫方亮]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。