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发光二极管封装结构的制作方法; 发光二极管封装结构的制作方法
杨华; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种发光二极管封装结构的制作方法,包括以下步骤:在绝缘衬底上利用金属有机物气相外延的方法依次生长n型层、有源层和p型层;光刻在p型层上面的一侧向下到达n型层的表面形成第一台面,在另一侧向下刻蚀到达绝缘衬底的表面,形成第二台面;在第一、二台面上制作导电通孔并填充导电金属;在靠近第二台面的一侧并覆盖部分p型层的上表面,制作绝缘层;在绝缘层上并覆盖绝缘层制作p电极;在第一台面上的导电通孔上制作n电极;将绝缘衬底减薄;在绝缘衬底的背面的两侧分别制作第一背电极和第二背电极,以上得到器件的基底;在器件的基底上封装一光学元件,完成基底上器件的制作;采用机械方式将基底上器件切割成独立的器件。
部门归属中科院半导体照明研发中心
专利号CN102231421A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110198263.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23506
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
杨华,卢鹏志,谢海忠,等. 发光二极管封装结构的制作方法, 发光二极管封装结构的制作方法. CN102231421A.
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发光二极管封装结构的制作方法.pdf(292KB) 限制开放使用许可请求全文
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