| 发光二极管封装结构的制作方法; 发光二极管封装结构的制作方法 |
| 杨华; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明
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摘要 | 一种发光二极管封装结构的制作方法,包括以下步骤:在绝缘衬底上利用金属有机物气相外延的方法依次生长n型层、有源层和p型层;光刻在p型层上面的一侧向下到达n型层的表面形成第一台面,在另一侧向下刻蚀到达绝缘衬底的表面,形成第二台面;在第一、二台面上制作导电通孔并填充导电金属;在靠近第二台面的一侧并覆盖部分p型层的上表面,制作绝缘层;在绝缘层上并覆盖绝缘层制作p电极;在第一台面上的导电通孔上制作n电极;将绝缘衬底减薄;在绝缘衬底的背面的两侧分别制作第一背电极和第二背电极,以上得到器件的基底;在器件的基底上封装一光学元件,完成基底上器件的制作;采用机械方式将基底上器件切割成独立的器件。 |
部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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专利号 | CN102231421A
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语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN201110198263.4
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23506
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专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
杨华,卢鹏志,谢海忠,等. 发光二极管封装结构的制作方法, 发光二极管封装结构的制作方法. CN102231421A.
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