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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Wang H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Wang YT;  Jia QJ;  Yang H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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High-quality GaN grown by gas-source MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Wang JX;  Sun DZ;  Wang XL;  Li JM;  Zeng YP;  Hou X;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Characterization  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Nitrides  Piezoelectric Materials  Semiconducting Gallium Compounds  Molecular-beam Epitaxy  Heterostructures  Sapphire  Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang JX;  Sun DZ;  Wang XL;  Li JM;  Zeng YP;  Hou X;  Lin LY;  Wang JX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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