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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XP;  Yang XH;  Han Q;  Ju YL;  Du Y;  Zhu B;  Wang J;  Ni HQ;  He JF;  Wang GW;  Niu ZC;  Wang, XP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. xpwang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王秀平;  杨晓红;  韩勤;  鞠研玲;  杜云;  朱彬;  王杰;  倪海桥;  贺继方;  王国伟;  牛智川
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采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12
发明人:  鞠研玲;  杨晓红;  韩 勤
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一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人:  李文兵;  韩 勤;  秦 龙;  杨晓红;  倪海乔;  杜 云;  朱 彬;  鞠研玲
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GaAs/AlGaAs量子线的研究及在场效应弱光探测器中的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  鞠研玲
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  秦龙;  韩勤;  杨晓红;  朱彬;  鞠研玲
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  鞠研玲;  杨晓红;  韩勤;  杜云;  倪海桥;  黄社松;  王鹏飞;  贺继方;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张艳;  陈伟;  任民;  鞠昱;  韩威;  张邦宏;  张雅丽;  谢亮;  祝宁华
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YL (Wang Yuanli);  Cui H (Cui Hua);  Lei W (Lei Wen);  Su YH (Su Yahong);  Chen YH (Chen Yonghai);  Wu J (Wu Ju);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Wang, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuanli.wang@axt.com
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