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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu LW; Chen TJ; Shen B; Wang JN; Ge WK; Lu, LW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lwlu@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu ZH; Liao XB; Liu ZM; Xia CF; Chen TJ; Hu ZH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 袁海荣; 向贤碧; 陈庭金; 陆大成
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 石志文; 应志春; 陈廷杰; 应冉沂; 吴荣汉
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| 半导体致冷材料与器件 成果
1991
主要完成人: 陈廷杰; 彭少近; 张韵琴; 唐代维; 郑秉茹; 李瑞云
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半导体致冷 |
| 半导体制冷技术和设备 成果
1990
主要完成人: 陈廷杰; 彭少近; 张韵秦; 唐代维; 郑秉茹
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 何良; 褚一鸣; 李成基; 陈廷杰; 贺节; 商广义; 姚骏恩; 魏骏
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈廷杰; 吴灵犀; 王占国; 何宏家; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: CHEN TJ; SUN BK; CHEN TJ ACAD SINICAINST SEMICONDBEIJINGPEOPLES R CHINA
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| 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910080069.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 林孟喆; 曹青; 颜庭静; 陈良惠
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