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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, Rui;  Duan, Jingyuan;  Shi, Ancun;  Liu, Yuliang;  Wang, R.(wangrui@semi.ac.cn)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZJ (Wang Zhijie);  Qu SC (Qu Shengchun);  Zeng XB (Zeng Xiangbo);  Liu JP (Liu Junpeng);  Tan FR (Tan Furui);  Jin L (Jin Lan);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, ZJ;  Qu, SC;  Zeng, XB;  Liu, JP;  Zhang, CS;  Tan, FR;  Jin, L;  Wang, ZG;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui, JP;  Wang, XF;  Duan, Y;  He, JX;  Zeng, YP;  Cui, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ypzeng@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(1153Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：804/217  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang, XW;  Deng, HX;  Luo, JW;  Li, SS;  Wang, LW;  Jiang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwjiang@semi.ac.cn;  lwwang@lbl.gov
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Room temperature mobility above 2100 cm2/Vs in Al0.3Ga0.7N/AIN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD 会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:  Wang, XL;  Wang, CM;  Hu, GX;  Wang, JX;  Li, JP;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  2-dimensional Electron-gas  Bulk Gan  Optimization  Layers  Hemts  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JM;  Dong ZY;  Wei XC;  Duan ML;  Li JM;  Zhou, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(159Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1179/293  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang RY;  Dong J;  Feng ZW;  Zhou F;  Tian HL;  Shu HY;  Zhao LJ;  Bian J;  Wang W;  Zhang RY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of GaN layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 188 (2), DENVER, COLORADO, JUL 16-20, 2001
作者:  Sun XL;  Yang H;  Zhu JJ;  Wang YT;  Chen Y;  Li GH;  Wang ZG;  Sun XL Ohio State Univ Dept Elect Engn Columbus OH 43210 USA.
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Gallium Nitride  Luminescence  Bulk  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun XL;  Yang H;  Zhu JJ;  Wang YT;  Chen Y;  Li GH;  Wang ZG;  Sun XL,Ohio State Univ,Dept Elect Engn,Columbus,OH 43210 USA.
Adobe PDF(110Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：894/216  |  提交时间：2010/08/12