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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者:韩伟华
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu Y
;
Xu
;
XJ
;
Li ZY
;
Zhou L
;
Han WH
;
Fan ZC
;
Yu
;
YD
;
Yu JZ
;
Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jzyu@semi.ac.cn
Adobe PDF(1613Kb)
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浏览/下载:1523/477
  |  
提交时间:2010/04/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang Ying
;
Han Weihua
;
Yang Xiang
;
Zhang Renping
;
Zhang Yang
;
Yang Fuhua
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浏览/下载:1119/219
  |  
提交时间:2011/08/16
环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:
王 颖
;
韩伟华
;
杨 香
;
张 杨
;
杨富华
Adobe PDF(400Kb)
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  |  
浏览/下载:1512/257
  |  
提交时间:2010/03/19
硅基单电子神经元量子电路
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
韩伟华
Adobe PDF(715Kb)
  |  
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  |  
浏览/下载:1096/138
  |  
提交时间:2009/06/11
具有双量子点接触结构的硅基单电子器件及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
韩伟华
;
杨香
Adobe PDF(855Kb)
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  |  
浏览/下载:1316/138
  |  
提交时间:2009/06/11
围栅控制结构的硅基单电子晶体管及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
韩伟华
;
杨香
Adobe PDF(896Kb)
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浏览/下载:1174/156
  |  
提交时间:2009/06/11
Diffractive Grating Based Out-of-Plane Coupling between Silicon Nanowire and Optical Fiber
会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:
Li ZY
;
Zhu Y
;
Zhou L
;
Li YT
;
Han WH
;
Fan ZC
;
Yu YD
;
Yu JZ
;
Li, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(227Kb)
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浏览/下载:2260/455
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提交时间:2010/06/04
一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
韩伟华
;
杨香
;
吴南健
Adobe PDF(1822Kb)
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浏览/下载:1252/118
  |  
提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang Xiang
;
Han Weihua
;
Wang Ying
;
Zhang Yang
;
Yang Fuhua
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浏览/下载:1085/297
  |  
提交时间:2010/11/23
Monostable-Bistable Transition Logic Element (MOBILE) Model for Single-Electron Transistors
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Wang Y
;
Han WH
;
Yang X
;
Chen JJ
;
Yang FH
;
Wang, Y, Chinese Acad Sci, Res Ctr Semicond Integrated Technol, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(2039Kb)
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浏览/下载:1765/318
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提交时间:2010/03/09
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