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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者:黎大兵
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一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
;
韩修训
;
李杰民
;
黎大兵
;
陆沅
;
王晓晖
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提交时间:2009/06/11
自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
;
黎大兵
;
陆沅
;
韩修训
;
李杰民
;
王晓辉
;
刘祥林
;
王占国
Adobe PDF(683Kb)
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浏览/下载:1924/185
  |  
提交时间:2009/06/11
一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张志成
;
杨少延
;
黎大兵
;
刘祥林
;
陈涌海
;
朱勤生
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wu JJ
;
Han XX
;
Li JM
;
Li DB
;
Lu Y
;
Wei HY
;
Cong GW
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1190/406
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu W
;
Li DB
;
Li CR
;
Chen G
;
Zhang Z
;
Lu, W, Jilin Univ, Coll Mat Sci & Engn, Dept Mat Sci, Changchun 130012, Peoples R China. 电子邮箱地址: lw@chen.ac.cn
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浏览/下载:928/243
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
吴洁君
;
韩修训
;
李杰民
;
黎大兵
;
魏宏远
;
康亭亭
;
王晓晖
;
刘祥林
;
王占国
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提交时间:2010/11/23
制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张志成
;
杨少延
;
黎大兵
;
陈涌海
;
朱勤生
;
王占国
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浏览/下载:1221/180
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JP
;
Zhang BS
;
Wu M
;
Li DB
;
Zhang JC
;
Jin RQ
;
Zhu JJ
;
Chen J
;
Wang JF
;
Wang YT
;
Yang H
;
Liu, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1020/330
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu W
;
Li DB
;
Li CR
;
Zhang Z
;
Li, CR, Chinese Acad Sci, Beijing Lab Electron Microscopy, Inst Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: crli@aphy.iphy.ac.cn
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浏览/下载:1162/418
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han XX
;
Chen Z
;
Li DB
;
Wu JJ
;
Li JM
;
Sun XH
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/09