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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Gong, QC (Gong, Q. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
4h-sic