SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共24条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  L. Zhang;   Y. N. Guo;   J. C. Yan;   Q. Q. Wu;   X. C. Wei;   J. X. Wang;   J. M. Li
Adobe PDF(4891Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:105/0  |  提交时间:2020/08/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王军喜;  闫建昌;  郭亚楠;  张韵;  田迎冬;  朱邵歆;  陈翔;  孙莉莉;  李晋闽
Adobe PDF(2006Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:541/20  |  提交时间:2016/04/15
具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李璟;  王国宏;  魏同波;  张杨;  孔庆峰
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1905/350  |  提交时间:2012/09/09
采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  孙莉莉;  张韵;  闫建昌;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:483/1  |  提交时间:2016/08/30
氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人:  谢海忠;  张扬;  杨华;  李璟;  刘志强;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:774/91  |  提交时间:2014/10/24
氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人:  谢海忠;  张扬;  杨华;  李璟;  刘志强;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:717/97  |  提交时间:2014/10/24
氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  闫建昌;  王军喜;  张韵;  丛培沛;  孙莉莉;  董鹏;  田迎冬;  李晋闽
Adobe PDF(972Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:788/66  |  提交时间:2014/11/24
在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人:  董鹏;  王军喜;  闫建昌;  张韵;  曾建平;  孙莉莉;  李晋闽
Adobe PDF(524Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:657/101  |  提交时间:2014/11/17
空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人:  张杨;  詹腾;  李璟;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
Adobe PDF(470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:635/90  |  提交时间:2014/10/24
阵列式高压LED器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-09
发明人:  詹腾;  张杨;  李璟;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
Adobe PDF(491Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:640/91  |  提交时间:2014/10/24