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背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  王良臣;  王立彬;  郭金霞;  伊晓燕
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氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
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