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锆基过渡金属硫族化合物的制备及其光电性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  田琰
Adobe PDF(7278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：276/0  |  提交时间：2022/07/26
锆基过渡金属硫族化合物的制备及其光电性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  田琰
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在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄添懋;  陈诺夫;  施辉伟;  尹志岗;  吴金良;  王彦硕;  汪宇;  张汉
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