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| 一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人: 闫发旺; 高海永; 张 扬; 张会肖; 李晋闽; 曾一平; 王国宏
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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑婉华; 王科; 任刚; 杜晓宇; 邢名欣; 陈良惠
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| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 任芸芸; 徐波 ; 周惠英; 刘明; 李志刚; 王占国
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| 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张扬; 闫发旺; 高海永; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 李晋闽
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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
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| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国
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| 半导体激光器热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王大拯; 冯晓明; 王俊; 吕卉; 李伟; 刘媛媛; 刘素平; 马骁宇
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