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| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪 ; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽
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| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽
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| 一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 梁萌; 杨华; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-02
发明人: 梁萌; 杨华; 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 氮化物LED外延结构的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15
发明人: 李盼盼; 李鸿渐; 张逸韵; 李志聪; 梁萌; 李璟; 王国宏
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| 抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人: 刘娜; 孙雪娇; 孔庆峰; 梁萌; 王莉; 魏同波; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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| 提高光提取效率发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人: 刘娜; 孙雪娇; 孔庆峰; 梁萌; 王莉; 魏同波; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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