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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  徐晓华;  倪海桥;  徐应强;  韩勤;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Jiajun;  Zhao Jianhua;  Jiang Chunping;  Zhang Yan;  Niu Zhichuan;  Yang Fuhua;  Wu Xiaoguang;  Zheng Houzhi
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马宝珊;  王晓东;  骆军委;  苏付海;  方再利;  丁琨;  牛智川;  李国华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙彦;  方志丹;  龚政;  苗振华;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong Lingmin;  Cai Jiafa;  Wu Zhengyun;  Gong Zheng;  Niu Zhichuan
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭红玲;  章昊;  韩勤;  杨晓红;  杜云;  倪海桥;  佟存柱;  牛智川;  郑厚植;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐晓华;  牛智川;  倪海桥;  徐应强;  张纬;  贺正宏;  韩勤;  吴荣汉;  江德生
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方志丹;  龚政;  苗振华;  牛智川;  沈光地
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  佟存柱;  韩勤;  彭红玲;  牛智川;  吴荣汉
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