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一种高可靠性980nm大功率量子阱半导体激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王俊;  马骁宇
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一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王俊;  马骁宇
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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
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利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王俊
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硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王启元;  王俊;  王建华
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双异质外延SOI材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王启元;  王俊;  王建华
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在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG (Wang Yonggang);  Ma XY (Ma Xiaoyu);  Wang CL (Wang Cuiluan);  Lin T (Lin Tao);  Zhen K (Zhen Kai);  Wang J (Wang Jun);  Zhong L (Zhong Li);  Jia YL (Jia YuLei);  Wei ZY (Wei ZhiYi);  Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chinawygxjw@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J (Wang Jun);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Bai YM (Bai Yi-Ming);  Cao L (Cao Li);  Wu DJ (Wu Da-Jin);  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgunwung@sohu.com
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