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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YH;  Walsh A;  Chen SY;  Yin WJ;  Yang JH;  Li JB;  Da Silva JLF;  Gong XG;  Wei SH;  Li YH Fudan Univ Dept Phys Shanghai 200433 Peoples R China. E-mail Address: a.walsh@ucl.ac.uk;  swei@nrel.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng YH (Zheng Yu-Hong);  Zhao JH (Zhao Jian-Hua);  Bi JF (Bi Jing-Feng);  Wang WZ (Wang Wei-Zhu);  Ji Y (Ji Yang);  Wu XG (Wu Xiao-Guang);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang W (Yang W.);  Chang K (Chang Kai);  Wu XG (Wu X. G.);  Zheng HZ (Zheng H. Z.);  Peeters FM (Peeters F. M.);  Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: kchang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(271Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1036/304  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng JJ;  Zhao JH;  Bi JF;  Niu ZC;  Yang FH;  Wu XG;  Zheng HZ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang W;  Chang K;  Wu XG;  Zheng HZ;  Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, NLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: kchang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(223Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：985/258  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang CP;  Zhao JH;  Deng JJ;  Yang FH;  Niu ZC;  Wu XG;  Zheng HZ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(73Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1222/401  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang FQ;  Chen NF;  Liu XG;  Liu ZK;  Yang SY;  Cha CL;  Zhang FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(133Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：823/202  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang HF;  Han PD;  Cheng LS;  Zhang Z;  Duan SK;  Teng XG;  Han PD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(1003Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：948/224  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩培德;  杨海峰;  张泽;  段树坤;  滕学公
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