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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li F (Li Feng);  Li XQ (Li Xin-Qi);  Zhang WM (Zhang Wei-Min);  Gurvitz SA (Gurvitz S. A.);  Li, F, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: Shmuel.Gurvitz@weizmann.ac.il
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, SK (Wang, Shi-Kuan);  Jiao, HJ (Jiao, Hujun);  Li, F (Li, Feng);  Li, XQ (Li, Xin-Qi);  Yan, YJ (Yan, YiJing);  Wang, SK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xqli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, XQ (Li, Xin-Qi);  Yan, YJ (Yan, YiJing);  Li, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xqli@red.semi.ac.cn;  yan@ust.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiao, HJ (Jiao, HuJun);  Li, XQ (Li, Xin-Qi);  Luo, JY (Luo, JunYan);  Jiao, HJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiaohujun@semi.ac.cn;  xqli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, JY (Luo, JunYan);  Li, XQ (Li, Xin-Qi);  Yan, YJ (Yan, YiJing);  Li, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xqli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, SK (Wang, Shi-Kuan);  Jin, JS (Jin, Jinshuang);  Li, XQ (Li, Xin-Qi);  Wang, SK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xqli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin, JS (Jin, Jinshuang);  Welack, S (Welack, Sven);  Luo, JY (Luo, JunYan);  Li, XQ (Li, Xin-Qi);  Cui, P (Cui, Ping);  Xu, RX (Xu, Rui-Xue);  Yan, YJ (Yan, YiJing);  Jin, JS, Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Chem, Kowloon, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: jinjs@ust.hk;  yyan@ust.hk
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磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄秀颀;  刘峰奇
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多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  车晓玲;  刘峰奇;  黄秀颀;  雷文;  刘俊岐;  路秀真
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