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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝 ; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 平板式电极结构 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-02-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刁宏伟; 廖显伯; 曾湘波; 郝会颖; 徐艳月; 张世斌; 胡志华
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| 基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 许兴胜; 黄昕楠; 高永浩; 黎星云
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| 一种多功能反射式磁光光谱测量系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010143096.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 朱科; 朱汇; 刘剑; 章昊; 徐萍; 李桂荣; 郑厚植
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| 电控可调谐光子晶体波分复用器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 许兴胜; 高永浩; 李成果
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| 渐变半径光子晶体发光二极管制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13, 2013-02-13
发明人: 许兴胜; 王华勇; 高永浩
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