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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JP;  Shi Z;  He HC;  Nan CW;  Nan CW Tsinghua Univ Dept Mat Sci & Engn Beijing 100084 Peoples R China. E-mail Address: cwnan@tsinghua.edu.cn
Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：933/300  |  提交时间：2010/03/08