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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang HG;  Zhu NH;  Man JW;  Ke JH;  Zhang BH;  Han W;  Chen W;  Yuan HQ;  Wang X;  Xie L;  Zhao LJ;  Wang W;  Zhang HG CAS Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, HQ;  Kasai, S;  Hashizume, T;  Wu, NJ;  Zhao, HQ, Hokkaido Univ, Sapporo, Hokkaido 0608628, Japan. 电子邮箱地址: zhao@rciqe.hokudai.ac.jp
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晶片直接键合过程中实验参数的优化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵洪泉;  于丽娟;  黄永箴
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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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一种低温晶片直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵洪泉;  于丽娟;  黄永箴
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiao JL (Xiao Jin-Long);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Du Y (Du Yun);  Zhao, H (Zhao Huan);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Xiao, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, H (Zhao, H.);  Xu, YQ (Xu, Y. Q.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Han, Q (Han, Q.);  Du, Y (Du, Y.);  Yang, XH (Yang, X. H.);  Wu, RH (Wu, R. H.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Zhao, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaohuan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, SS (Huang She-Song);  Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan);  Ni, HQ (Ni Hai-Qiao);  Zhan, F (Zhan Feng);  Zhao, H (Zhao Huan);  Sun, Z (Sun Zheng);  Xia, JB (Xia Jian-Bai);  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于丽娟;  赵洪泉;  杜云;  李敬;  黄永箴
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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
Adobe PDF(629Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1683/227  |  提交时间:2009/06/11