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制备硅基带边发光以及非线性电光材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  丁武昌;  成步文;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Miao, W;  Lin, QY;  Zhang, WC;  Wu, NJ;  Miao, W, Omnivis SDC, Shanghai, Peoples R China. 电子邮箱地址: nanjian@red.semi.ac.cn
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Nanoelectronic Circuit Architectures Based on Single-Electron Turnstiles 会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:  Zhang, WC;  Wu, NJ;  Zhang, WC, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Transistors  Technology  Devices  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, WC;  Wu, NJ;  Zhang, WC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangwc@red.semi.ac.cn;  nanjian@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, WC;  Wu, NJ;  Zhang, WC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangwc@red.semi.ac.cn
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