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半导体器件可靠性的物理机制研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  刘岳阳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘剑;  李月霞;  郑厚植;  杨富华;  宋爱民;  李承芳
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高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕玲;  杨富华
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对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘雯;  李越强;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华
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一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07
发明人:  李越强;  王晓东;  徐晓娜;  刘雯;  陈燕玲;  杨富华
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