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| 晶片直接键合过程中实验参数的优化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 赵洪泉; 于丽娟 ; 黄永箴
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| 一种低温晶片直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 赵洪泉; 于丽娟; 黄永箴
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: 于丽娟; 赵洪泉; 杜云; 李敬; 黄永箴
Adobe PDF(488Kb) | Favorite | View/Download：982/287 | Submit date：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Zhao HQ; Yu LJ; Huang YZ; Zhao, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhggeneral@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: 于丽娟; 赵洪泉; 杜云; 黄永箴
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| 硅基化合物半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091403.0, 公开日期: 2011-08-30
Inventors: 于丽娟; 杜云; 赵烘泉; 黄永箴
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