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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan, D;  Wang, SL;  Wang, HL;  Yu, XZ;  Wang, XL;  Zhao, JH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL1, Yu XZ, Wang SL, Chen L, Zhao JH.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, S;  Zhao, Q;  Xu, J;  Yan, K;  Peng, HL;  Yang, FH;  You, LP;  Yu, DP
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu XZ (Yu, Xuezhe);  Wang HL (Wang, Hailong);  Lu J (Lu, Jun);  Zhao JH (Zhao, Jianhua);  Misuraca J (Misuraca, Jennifer);  Xiong P (Xiong, Peng);  von Molnar S (von Molnar, Stephan)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  He JF;  Wang HL;  Shang XJ;  Li MF;  Zhu Y;  Wang LJ;  Yu Y;  Ni HQ;  Xu YQ;  Niu ZC;  He, JF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, hejifang@semi.ac.cn
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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
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在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  赵建华;  王思亮;  俞学哲;  王海龙
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