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| 高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐晓华; 倪海桥; 牛智川; 贺正宏; 王建林
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| 电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 胡小华; 李宝霞; 朱洪亮; 王圩
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| 高速电吸收调制器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 胡小华; 王宝军; 王圩; 朱洪亮
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| 多量子阱波导对接耦合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 胡小华; 王圩; 朱洪亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡小华; 王圩 ; 朱洪亮; 王宝军; 李宝霞; 周帆; 田惠良; 舒惠云; 边静; 王鲁峰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘国利; 王圩; 朱洪亮; 张静媛; 周帆; 汪孝杰; 胡小华
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