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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡小华;  李宝霞;  朱洪亮;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Baoxia;  Hu Xiaohua;  Zhu Hongliang;  Wang Baojun;  Bian Jing;  Zhao Lingjuan;  Wang Wei
Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1012/325  |  提交时间：2010/11/23