中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:  尹小杰;  王 玥;  吴远大;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1581/265  |  提交时间：2010/08/12
一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-17
发明人:  聂诚磊;  杨晓红;  王秀平;  王杰;  刘少卿;  李彬;  杨怀伟;  尹伟红;  韩勤
Adobe PDF(1891Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：727/45  |  提交时间：2014/10/28
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：405/0  |  提交时间：2016/09/28
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
Adobe PDF(420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：496/3  |  提交时间：2016/09/28
一种双环谐振的四路可重构光插分复用器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010139030.2, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  李帅;  吴远大;  尹小杰;  安俊明;  胡雄伟
Adobe PDF(427Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：988/145  |  提交时间：2011/08/30
一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  王晓亮;  闫俊达;  李百泉;  王权;  肖红领;  冯春;  殷海波;  姜丽娟;  邱爱芹;  介芳
Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：505/1  |  提交时间：2016/09/12