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直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
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六英寸半绝缘砷化镓单晶  
CMOS结构的硅基发光器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  孙增辉;  毛陆虹;  唐君;  高鹏;  崔增文
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  崔增文;  韩建忠;  何山虎;  陈弘达;  孙增辉;  高鹏;  周毅
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  段满龙;  孙文荣;  杨子祥;  焦景华;  赵建群;  曹慧梅;  吕旭如
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙增辉;  陈弘达;  毛陆虹;  崔增文;  高鹏
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈弘达;  毛陆虹;  孙增辉;  崔增文;  高鹏;  陈永权;  申荣炫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙元平;  付羿;  渠波;  王玉田;  冯玉宏;  赵德刚;  郑新和;  段俐宏;  李秉臣;  张书明;  杨辉;  姜晓明;  郑文莉;  贾全杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  崔丽秋;  江德生;  张耀辉;  吴文刚;  刘伟;  宋春英;  李月霞;  孙宝权;  王若桢
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  阎春辉;  郑海群;  范缇文;  孔梅影;  曾一平;  黄运衡;  朱世荣;  孙殿照
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基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  张爽;  赵德刚;  刘文宝;  孙苋;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  王辉;  段俐宏;  杨辉
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