SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共41条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
低位错氮化镓的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  吴奎;  魏同波;  闫建昌;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1141/208  |  提交时间:2012/09/09
具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李璟;  王国宏;  魏同波;  张杨;  孔庆峰
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1870/350  |  提交时间:2012/09/09
制备GaN厚膜垂直结构LED的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人:  羊建坤;  魏同波;  胡强;  霍自强;  段瑞飞;  王军喜
Adobe PDF(403Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:790/97  |  提交时间:2014/10/24
制备微纳米柱发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03
发明人:  安铁雷;  孙波;  孔庆峰;  魏同波;  段瑞飞
Adobe PDF(633Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:596/81  |  提交时间:2014/10/24
制作微纳米柱发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03
发明人:  安铁雷;  孙波;  孔庆峰;  魏同波;  段瑞飞
Adobe PDF(1096Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:784/65  |  提交时间:2014/10/24
制备半球形微纳米透镜阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03
发明人:  魏同波;  吴奎;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:607/116  |  提交时间:2014/10/24
广告投放系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人:  李卫军;  李同宇;  董肖莉
Adobe PDF(794Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1118/136  |  提交时间:2014/10/20
可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人:  张连;  曾建平;  魏同波;  闫建昌;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:701/91  |  提交时间:2014/11/17
紫外发光二极管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  魏同波;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:561/77  |  提交时间:2014/11/17
植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人:  杜成孝;  郑海洋;  魏同波;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(914Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:552/60  |  提交时间:2014/12/25