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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM; Cheng, BW, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. cbw@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邬文锦; 王红武; 陈绍江; 郭婷婷; 王守觉; 苏谦; 孙明; 安冬
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Bai AQ; Hu D; Ding WC; Su SJ ; Hu WX; Xue CL; Fan ZC; Cheng BW; Yu YD; Wang QM; Cheng BW Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: anqibai@semi.ac.cn; cbw@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖建伟; 刘宗顺; 刘素平; 方高瞻; 胡长虹; 李秀芳; 鲁琳; 徐素娟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖建伟; 马骁宇; 方高瞻; 刘素平; 刘宗顺; 胡长虹; 李秀芳; 鲁琳; 徐素娟
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| GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵
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| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
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