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在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  时文华;  李传波;  王容伟;  罗丽萍;  王启明
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SHicon-based resonant-cavity-enhanced photodetectors 会议论文
2006 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Ottawa, CANADA, SEP 13-15, 2006
作者:  Cheng BW (Cheng Buwen);  Li CB (Li Chuanbo);  Mao RW (Mao Rongwei);  Yao F (Yao Fei);  Xue CL (Xue Chunlai);  Zhang JG (Zhang Jianguo);  Shi WH (Shi Wenhua);  Zuo YH (Zuo Yuhua);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Wang QM (Wang Qiming);  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵雷;  陈涌海;  左玉华;  王海宁;  时文华
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