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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang XW (Jiang Xiang-Wei);  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li SS (Li Shu-Shen);  Luo JW (Luo Jun-Wei);  Wang LW (Wang Lin-Wang);  Jiang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwjiang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J (Wang Jun);  Li SS (Li Shu-Shen);  Lu YW (Lue Yan-Wu);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: junwang07@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  沈海波;  郭亨群;  王国立;  王加贤;  吴志军;  宋江婷;  徐骏;  陈坤基;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋江婷;  郭亨群;  王加贤;  吴志军;  王国立;  沈海波;  徐骏;  陈坤基;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  申继伟;  郭亨群;  吕蓬;  徐骏;  陈坤基;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Q (Xu Qiang);  Luo JW (Luo Jun-Wei);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Li JB (Li Jingbo);  Wei SH (Wei Su-Huai);  Li, JB, Acad Sinica, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang Xiu-Wen);  Fan WJ (Fan Wei-Jun);  Zheng YH (Zheng Yu-Hong);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhxw99@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang Xiu-Wen);  Fan WJ (Fan Wei-Jun);  Chang K (Chang Kai);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Fan, WJ, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, JW (Luo, Jun-Wei);  Li, SS (Li, Shu-Shen);  Xia, JB (Xia, Jian-Bai);  Wang, LW (Wang, Lin-Wang);  Luo, JW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lwwang@lbl.gov
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利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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