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二维纳米结构深刻蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马小涛;  郑婉华;  杨国华;  任刚;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Niu, ZC;  Zhang, SY;  Ni, HQ;  Wu, DH;  Zhao, H;  Peng, HL;  Xu, YQ;  Li, SY;  He, ZH;  Ren, ZW;  Han, Q;  Yang, XH;  Du, Y;  Wu, RH;  Zhang, SY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangshiyong@tsinghua.org.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周震;  杨晓红;  韩勤;  杜云;  彭红玲;  吴荣汉;  黄永清;  任晓敏
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou Zhen;  Han Qin;  Du Yun;  Yang Xiaohong;  Wu Ronghan;  Huang Yongqing;  Ren Xiaomin
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Niu Zhichuan;  Han Qin;  Ni Haiqiao;  Yang Xiaohong;  Xu Yingqiang;  Du Yun;  Zhang Shiyong;  Peng Hongling;  Zhao Huan;  Wu Donghai;  Li Shuying;  He Zhenhong;  Ren Zhengwei;  Wu Ronghan
Adobe PDF(459Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：953/281  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ren L;  Zhang HZ;  Tan PH;  Chen YF;  Zhang ZS;  Chang YQ;  Xu J;  Yang FH;  Yu DP;  Yu, DP, Peking Univ, Sch Phys, State Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: yudp@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄辉;  王兴妍;  王琦;  黄永清;  任晓敏;  高俊华;  张胜利;  刘宇;  祝宁华;  马骁宇;  杨晓红;  吴荣汉
Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：966/256  |  提交时间：2010/11/23
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Zhang ZC;  Ren BY;  Chen YH;  Yang SY;  Wang ZG;  Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Czochralski Method  Growth From Melt  Semiconductor Silicon  Argon Gas Flow  Computer Simulation  Oxygen Content  Furnace Pressure  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Ren BY;  Chen YH;  Yang SY;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  殷景志;  刘素萍;  刘宗顺;  王新强;  殷宗友;  李正庭;  杨树人;  杜国同
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