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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, Yueyue;   Cui, Minghuan;   Qu, Shengchun;   Zhao, Huaping;   Shen, Zhitao;   Tan, Furui;   Dong, Yulian;   Qin, Chaochao;   Wang, Zhijie;   Zhang, Weifeng;   Wang, Zhangguo;   Lei, Yong
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, LP;  Liu, Y;  Jiang, CY;  Qin, XD;  Li, Y;  Gao, HS;  Chen, YH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, LP;  Liu, Y;  Jiang, CY;  Yu, JL;  Gao, HS;  Ma, H;  Qin, XD;  Li, Y;  Wu, Q;  Chen, YH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Y;  Liu, Y;  Jiang, CY;  Zhu, LP;  Qin, XD;  Gao, HS;  Ma, WQ;  Guo, XL;  Zhang, YH;  Chen, YH
Adobe PDF(523Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：465/116  |  提交时间：2015/03/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, LP;  Liu, Y;  Gao, HS;  Qin, XD;  Li, Y;  Wu, Q;  Chen, YH
Adobe PDF(604Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：426/96  |  提交时间：2015/03/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo Y (Guo Yan);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Song HP (Song Hua-Ping);  Yang AL (Yang An-Li);  Zheng GL (Zheng Gao-Lin);  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Guo, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: guoyan@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1260/262  |  提交时间：2011/08/31