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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [9]
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作者
魏鸿源 [2]
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于芳 [1]
韩勤 [1]
文献类型
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发表日期
1999 [4]
1995 [1]
1992 [1]
1990 [3]
语种
中文 [11]
出处
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期刊论文
作者:
雷红兵
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杨沁清
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朱家廉
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王红杰
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高俊华
;
王启明
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
高文钰
;
刘忠立
;
和致经
;
张永刚
;
梁秀琴
;
梁桂荣
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浏览/下载:871/284
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
司俊杰
;
杨沁清
;
高俊华
;
滕达
;
王启明
;
郭丽伟
;
周均铭
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
高文钰
;
刘忠立
;
梁秀琴
;
于芳
;
聂纪平
;
李国花
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浏览/下载:926/286
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
黄大定
;
秦复光
;
姚振钰
;
刘志凯
;
任治璋
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林兰英
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高维滨
;
任庆余
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张权生
;
吴荣汉
;
林世鸣
;
高洪海
;
高文智
;
吕卉
;
韩勤
;
段海龙
;
杜云
;
芦秀玲
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浏览/下载:771/198
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈定钦
;
张晓玲
;
熊思强
;
高翠华
;
周帆
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浏览/下载:923/233
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
杨沁清
;
高俊华
;
曾一平
;
孔梅影
;
孙殿照
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浏览/下载:626/210
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
杨沁清
;
高俊华
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浏览/下载:550/161
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提交时间:2010/11/23
利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
郑高林
;
杨安丽
;
宋华平
;
郭严
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:1187/206
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提交时间:2011/08/31