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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HY;  Qu SC;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Liu JP;  Wang ZG;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qsc@semi.ac
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou GY;  Chen YH;  Yu JL;  Zhou XL;  Ye XL;  Jin P;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. yhchen@semi.ac.cn
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周立;  陈涌海;  金鹏;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  廖友贵;  金鹏;  李乙钢;  张存洲;  潘士宏;  梁基本
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