已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Li YA; Dou XM; Chang XY; Ni HQ; Niu ZC; Sun BQ; Sun, BQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. bqsun@red.semi.ac.cn Adobe PDF(692Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1083/245  |  提交时间:2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Li YA; Dou XM; Chang XY; Ni HQ; Niu ZC; Sun BQ; Sun, BQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. bqsun@red.semi.ac.cn Adobe PDF(1186Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1066/173  |  提交时间:2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang XP; Yang XH; Han Q; Ju YL; Du Y; Zhu B; Wang J; Ni HQ; He JF; Wang GW; Niu ZC; Wang, XP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. xpwang@semi.ac.cn Adobe PDF(634Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1362/265  |  提交时间:2011/07/05 |
| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川 Adobe PDF(412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1703/296  |  提交时间:2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Chang XY (Chang Xiu-Ying); Dou XM (Dou Xiu-Ming); Sun BQ (Sun Bao-Quan); Xiong YH (Xiong Yong-Hua); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan); Sun, BQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:856/209  |  提交时间:2010/07/05 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012 发明人: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1499/287  |  提交时间:2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010 发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1436/257  |  提交时间:2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Guo J; Peng ZY; Lu ZX; Sun WG; Hao RT; Zhou ZQ; Xu YQ; Niu ZC; Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710072 Peoples R China. Adobe PDF(475Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1149/346  |  提交时间:2010/03/08 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1247/190  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1260/150  |  提交时间:2009/06/11 |