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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝 ; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma SS (Ma Shan-Shan); Wang, BR (Wang Bao-Rui); Sun BQ (Sun Bao-Quan); Wu DH (Wu Dong-Hai); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan); Ma, SS, Chinese Acad Sci, SKLSM, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei QX; Ren ZW; He ZH; Niu ZC; Wei QX Shanxi Univ Dept Phys Taiyuan 030006 Peoples R China. E-mail Address: qx.wei@163.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo J; Peng ZY; Sun WG; Xu YQ; Zhou ZQ; Niu ZC; Guo J NW Polytech Univ Xian 710000 Shaanxi Peoples R China. E-mail Address: jieggg1020@sina.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo J; Peng ZY; Lu ZX; Sun WG; Hao RT; Zhou ZQ; Xu YQ; Niu ZC; Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710072 Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Dou XM; Sun BQ; Xiong YH; Niu ZC; Ni HQ; Xu ZY; Dou XM CAS SKLSM Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: bqsun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Don XM; Sun BQ; Huang SS; Ni HQ; Niu ZC; Yang FH; Jia R; Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: bqsun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang PF; Xiong YH; Wang HL; Huang SS; Ni HQ; Xu YQ; He ZH; Niu ZC; Wang PF Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattice & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: pfwang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yu HL; Zhang XM; Wang PF; Ni HQ; Niu ZC; Lai TS; Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: zcniu@red.semi.ac.cn; stslts@mail.sysu.edu.cn
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