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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, JQ (Liu, J. Q.);  Wang, JF (Wang, J. F.);  Qiu, YX (Qiu, Y. X.);  Guo, X (Guo, X.);  Huang, K (Huang, K.);  Zhang, YM (Zhang, Y. M.);  Hu, XJ (Hu, X. J.);  Xu, Y (Xu, Y.);  Xu, K (Xu, K.);  Huang, XH (Huang, X. H.);  Yang, H (Yang, H.);  Xu, K, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: kxu2006@sinano.ac.cn
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用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王保柱;  王晓亮;  王晓燕;  王新华;  肖红领;  王军喜;  刘宏新
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, BL;  Sun, XH;  Zha, XZ;  Su, FH;  Li, GH;  Wu, XG;  Wu, J;  Wu, R;  Liu, J;  Zhu, BL, Wuhan Univ Sci & Technol, Key Lab Hubei Prov Ceram & Refractories, Nanomat Ctr, Wuhan 430081, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhubailin97@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang BZ;  Wang XL;  Wang XY;  Guo LC;  Wang XH;  Xiao HL;  Liu HX;  Wang, BZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangbz@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin ZG (Yin Zhigang);  Chen NF (Chen Nuofu);  Dai RX (Dai Ruixuan);  Liu L (Liu Lei);  Zhang XW (Zhang Xingwang);  Wang XH (Wang Xiaohui);  Wu JL (Wu Jinliang);  Chai CL (Chai Chunlin);  Yin, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhg@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡小凤;  黎晓新;  吴慧娟;  陈品华;  曹晓光;  徐秀兰;  刘国栋;  李春安;  裴为华;  陈弘达;  隋晓红;  刘金彬
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘金彬;  陈弘达;  高鹏;  裴为华;  隋晓红
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王保柱;  王晓亮;  王晓燕;  王新华;  郭伦春;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  曾一平;  李晋闽
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自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  黎大兵;  陆沅;  韩修训;  李杰民;  王晓辉;  刘祥林;  王占国
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在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆沅;  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  王占国
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