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基于InGaN插入层的非极性a-plane GaN薄膜的生长及相关物理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  李志伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, ZW;  Wei, HY;  Xu, XQ;  Zhao, GJ;  Liu, XL;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG
Adobe PDF(863Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：846/245  |  提交时间：2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, ZW;  Wei, HY;  Xu, XQ;  Zhao, GJ;  Liu, XL;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG
Adobe PDF(863Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：905/268  |  提交时间：2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao GJ (Zhao Gui-Juan);  Li ZW (Li Zhi-Wei);  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Liu GP (Liu Gui-Peng);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
Adobe PDF(1069Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：907/187  |  提交时间：2013/03/26
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei W (Wei, Wei);  Qin ZX (Qin, Zhixin);  Fan SF (Fan, Shunfei);  Li ZW (Li, Zhiwei);  Shi K (Shi, Kai);  Zhu QS (Zhu, Qinsheng);  Zhang GY (Zhang, Guoyi)
Adobe PDF(529Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：989/284  |  提交时间：2013/04/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JM;  Liu XL;  Li CM;  Wei HY;  Guo Y;  Jiao CM;  Li ZW;  Xu XQ;  Song HP;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Yang AL;  Yang TY;  Wang HH;  Liu, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. liujianming@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
Adobe PDF(4152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1336/335  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu GP;  Wu J;  Lu YW;  Li ZW;  Song YF;  Li CM;  Yang SY;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Liu, GP (reprint author), Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, liugp@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
Adobe PDF(1288Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：957/224  |  提交时间：2012/02/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song YF (Song Yafeng);  Lu YW (Lu Yanwu);  Zhang BA (Zhang Biao);  Xu XQ (Xu Xiaoqing);  Wang J (Wang Jun);  Guo Y (Guo Yan);  Shi K (Shi Kai);  Li ZW (Li Zhiwei);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Song, YF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: songyafeng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li ZW;  Xu XQ;  Wang J;  Liu JM;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Li, ZW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. lizhiwei@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
Adobe PDF(459Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1201/426  |  提交时间：2011/07/05
利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  时凯;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  王俊;  李志伟;  宋亚峰;  杨少延;  朱勤生;  王占国
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