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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin ZG;  Chen NF;  Li Y;  Zhang XW;  Bai YM;  Chai CL;  Xie YN;  Zhang J;  Yin, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhg@semi.ac.cn
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在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  周剑平;  张富强
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YL;  Chen NF;  Zhou JP;  Song SL;  Liu LF;  Yin ZG;  Cai CL;  Li, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ylli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song SL;  Chen NF;  Zhou JP;  Yin ZG;  Li YL;  Yang SY;  Liu ZK;  Song, SL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: slsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu LF;  Chen NF;  Chen CL;  Li YL;  Yin ZG;  Yang F;  Liu, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lfliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
Adobe PDF(297Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:860/221  |  提交时间:2010/11/23
提高聚合物太阳电池效率的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010554257.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  谭海仁;  张兴旺;  高红丽;  白一鸣;  张秀兰;  尹志岗
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Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106765.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨晓丽;  陈诺夫;  尹志岗
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