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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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半导体低维结构中的自旋轨道耦合作用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  李超
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈彦超;  赵柏秦;  李伟
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步进时隙脉冲检测防冲突方法及其电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨志超;  周盛华;  吴南健;  李美云
Adobe PDF(543Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：992/150  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, YC (Li, Yan-Chao);  Li, SS (Li, Shu-Shen);  Li, YC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘超;  高兴国;  李建平;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘超;  张雅丽;  徐桂芝;  张韬;  侯广辉;  祝宁华
Adobe PDF(310Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：898/327  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陆晓东;  韩培德;  全宇军;  叶志成;  吴黎;  陈彦超;  赵春华
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基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  樊中朝;  余金中;  陈少武;  王章涛;  陈媛媛;  李艳萍
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Huang DD;  Li JP;  Liu C;  Gao, F, Shaanxi Normal Univ, Coll Phys & Informat Technol, Xian 710062, Peoples R China. 电子邮箱地址: feigao@snnu.edu.cn
Adobe PDF(184Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：951/313  |  提交时间：2010/03/17