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| 倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人: 尹小杰; 王 玥; 吴远大; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 用阳极氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003
发明人: 胡迪
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| 采用非平面工艺制备硅线波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人: 安俊明; 吴远大; 李建光; 李俊一; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Bai AQ; Hu D; Ding WC; Su SJ ; Hu WX; Xue CL; Fan ZC; Cheng BW; Yu YD; Wang QM; Cheng BW Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: anqibai@semi.ac.cn; cbw@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 白安琪; 胡迪; 丁武昌; 苏少坚; 胡炜玄; 薛春来; 樊中朝; 成步文; 俞育德; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁继然; 胡明; 王晓东; 李贵柯; 季安; 杨富华; 刘剑; 吴南健; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李俊一; 安俊明; 吴远大; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴远大; 安俊明; 李建光; 王玥; 尹小杰; 张家顺; 王红杰; 胡雄伟
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| 紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王鵫; 吴远大; 李建光; 王红杰; 安俊明; 胡雄伟
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| 制作光子晶体结构GaN基发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 胡海洋
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