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生长InP基InAs量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人:  季海铭;  罗帅;  杨涛
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制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人:  罗帅;  季海铭;  杨涛
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锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  季海铭;  罗帅;  杨涛
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制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  杨涛;  高凤;  罗帅;  季海铭
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大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  罗帅;  季海铭;  杨涛
Adobe PDF(446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：471/6  |  提交时间：2016/09/28