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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [8]
作者
尹志岗 [1]
张汉 [1]
黄添懋 [1]
文献类型
专利 [6]
期刊论文 [2]
发表日期
2018 [1]
2017 [1]
语种
中文 [3]
出处
ACS Applie... [2]
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SCI [2]
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SEMI OpenIR
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xiao Shi
;
Yumin Ye
;
Hui Wang
;
Fu Liu
;
Zhijie Wang
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2019/11/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yuxiang Han
;
Mengqi Fu
;
Zhiqiang Tang
;
Xiao Zheng
;
Xianghai Ji
;
Xiaoye Wang
;
Weijian Lin
;
Tao Yang
;
Qing Chen
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浏览/下载:207/0
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提交时间:2018/05/23
单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078559.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王彦硕
;
陈诺夫
;
白一鸣
;
黄添懋
;
陈晓峰
;
张汉
Adobe PDF(470Kb)
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浏览/下载:1412/240
  |  
提交时间:2011/08/31
锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
陈晓锋
;
陈诺夫
;
吴金良
;
张秀兰
;
柴春林
;
俞育德
Adobe PDF(285Kb)
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浏览/下载:1354/221
  |  
提交时间:2011/08/31
Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106765.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
杨晓丽
;
陈诺夫
;
尹志岗
Adobe PDF(213Kb)
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浏览/下载:1124/208
  |  
提交时间:2011/08/31
一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:620/0
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提交时间:2016/08/30
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
杨香
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
田丽欣
;
刘敏
;
申占伟
;
赵万顺
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:691/0
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提交时间:2016/09/29
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:505/3
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提交时间:2016/09/28