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| δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 魏鸿源 ; 刘祥林; 张攀峰; 焦春美; 王占国
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| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国
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| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国
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| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人: 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国
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| 抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人: 刘娜; 孙雪娇; 孔庆峰; 梁萌; 王莉; 魏同波; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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| 提高光提取效率发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人: 刘娜; 孙雪娇; 孔庆峰; 梁萌; 王莉; 魏同波; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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| 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 项若飞; 汪连山; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 张恒; 冯玉霞; 焦春美; 魏鸿源; 杨少延; 王占国
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| 红外光电探测器及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 任飞; 刘舒曼; 王风娇; 翟胜强; 梁平; 刘峰奇; 王占国
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