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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:  Li Q;  Fang ZL;  Xu SJ;  Li GH;  Xie MH;  Tong SY;  Zhang XH;  Liu W;  Chua SJ;  Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Piezoelectric Field  Photoluminescence  Temperature  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Q;  Fang ZL;  Xu SJ;  Li GH;  Xie MH;  Tong SY;  Zhang XH;  Liu W;  Chua SJ;  Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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