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| 金属有机物化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人: 段瑞飞 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡炜杰; 赵有文; 段满龙; 王应利; 王俊
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡强; 魏同波; 段瑞飞; 羊建坤; 霍自强; 卢铁城; 曾一平
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| 一种垂直结构氮化物LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 4008
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 一种氮化物材料的外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 一种氮化物材料外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段垚; 王晓峰; 崔军朋; 曾一平
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| ZnO厚膜的金属源气相外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 段垚
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