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| 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 收藏  |  浏览/下载:510/0  |  提交时间:2016/08/30 |
| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉 Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:606/101  |  提交时间:2014/11/05 |
| 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25 发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉 Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:590/88  |  提交时间:2014/11/24 |
| 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30 发明人: 乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉 Adobe PDF(563Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:696/93  |  提交时间:2014/12/25 |
| 提高激光器量子阱载流子限制能力的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 Adobe PDF(473Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:317/3  |  提交时间:2016/09/28 |
| 同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:406/3  |  提交时间:2016/08/30 |
| 抑制GaAs基激光器高阶模的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:524/3  |  提交时间:2016/08/30 |
| 一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 Adobe PDF(632Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:382/2  |  提交时间:2016/09/28 |
| 一种提高氮化镓基激光器性能的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 Adobe PDF(456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:323/3  |  提交时间:2016/09/12 |
| 降低Ni/Au与p-GaN欧姆接触的比接触电阻率的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 李晓静; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 朱建军; 陈平 Adobe PDF(423Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:415/4  |  提交时间:2016/09/12 |